الترانزستور ثنائی القطب (IGBT double SKM75GB12T4) مع بوابة معزولة أو المصطلح الإنجلیزی المختصر IGBT (بوابة معزولة ترانزستور ثنائی القطب) هو أشباه موصلات للطاقة ویستخدم بشکل أساسی کمفتاح إلکترونی فی الأجهزة الجدیدة لتحقیق کفاءة عالیة ویتم استخدام التبدیل السریع. یستخدم هذا المفتاح الکهربائی فی العدید من الأجهزة الحدیثة بما فی ذلک السیارات الکهربائیة والقطارات والثلاجات وجهاز المشی ومکیفات الهواء وحتى أنظمة الاستریو ومکبرات الصوت. کما أنها تستخدم فی صنع جمیع أنواع المحولات ومحولات اللحام والـ UPS.
الوحدة النمطیة SKM100GB12T4 هی وحدة IGBT مزدوجة 1200 فولت 160 أمبیر ، ومناسبة للتحکم فی المحرک والعاکس ، ودوائر تبدیل الطاقة. SEMIKRON SKM100GB12T4 DOUBLE IGBT IGBT الوحدة النمطیة
بعض رموز IGBT التی تحتوی على semikron semikron:
SKM100GB12T4 double EGBT
SKM200GB12T4 double EGBT
SKM300GB12T4 double E GBT
SKM75GB12 \ r4TGB400 nGBT 100 أمبیر | SKM100GB128D IGBT Semikron
الأکواد المذکورة أعلاه هی منتجات أصلیة فقط بأفضل جودة وسعر.
تطبیقات IGBT SKM100GB12T4
فی صنع جمیع أنواع العواکس واللحام الشمسی \ r المحولات ، ومکیفات الهواء ، والسیارات الکهربائیة والقطارات ، والمبتدئین ، وإمدادات الطاقة UPS ، والمعدلات ، عند ترددات التحویل العالیة ، یتم استخدام الترانزستور للتحکم فی مستوى الجهد المستمر. مع زیادة التردد ، لم یعد الترانزستور یعمل بشکل خطی وینتج ضوضاء اتصالات شدیدة مع طاقة عالیة. لهذا السبب ، عند تردد التبدیل العالی ، یتم استخدام عنصر MOSFET للطاقة منخفض الاستهلاک. ولکن مع زیادة القوة ، تزداد خسائرها أیضًا. ظهر عنصر جدید فی السوق یحتوی على جمیع مزایا الجزأین المذکورین أعلاه ولم یعد له عیوب BJT و POWER MOSFET. یسمى هذا الجزء الجدید من IGBT EGBT.٪ D8٪ A7٪ D8٪ AA / igbt.html؟ start = 48
طهران
